用多晶硅版刻出多晶硅图形，再用有源区版刻掉有源区上的氧化层，高温下以n型杂质对有源区进行扩散（1000℃左右）。此时耐高温的多晶硅和下面的氧化层起掩蔽作用。设计这类晶体管时往往让栅区宽度（栅氧化膜及其上的铝栅电极两者）比源和漏扩散区的间距要大一些，光刻时使栅区的两端分别落在源和漏扩散区上并有一定余量，由此便产生了较大的栅对源、漏的覆盖电容，使电路的开关速度降低。